Politechnika Wrocławska
Nauczyciele Akademiccy
Doktoranci
Pracownicy inżynieryjno- techniczni

Nasi studenci
Anna Gosiewska
Kamil Raczkowski
Andrzej Dzierka
Paweł Biczysko
Mateusz Jasiński
Michał Babij
Piotr Kunicki
Nasi wcześniejsi współpracownicy
Benedykt Licznerski
Andrzej Bochenek
Janusz Kozłowski
Janusz Wilk
Agata Masalska-Pawlak
Marcin Dudek
Krzysztof Kolanek
Mirosław Woszczyna
Mateusz Wroński
Paweł Zawierucha
Magdalena Bujonek
Zuzanna Kowalska
Bogumił Frank
Mateusz Garbowicz
Krzysztof Garczyński
Grzegorz Gruca
Wiktor Herwich
Marcin Klich
Jakub Mateńko
Grzegorz Małozięć
Piotr Mulak
Konrad Nieradka
Zdzisław Nowacki
Łukasz Olczyk
Jarosław Olszewski
Adam Piotrowicz
Jan Skwierczyński
Piotr Słupski
Przemysław Sulecki
Tomasz Wojciechowski
Bartłomiej Wierdak
Klaudiusz Woźniak
Krystian Cecot
Michał Dusza
Alicja Palczyńska
Natalia Pyka
Jarosław Serafińczuk

dr inż. Jarosław Serafińczuk
budynek C-2, pokój 003, +48 71 320-22-34
jaroslaw.serafinczuk@pwr.edu.pl
strona prywatna

Zainteresowania naukowe/działalność naukowa

  • Wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
  • Materiały półprzewodnikowe niedopasowane sieciowo do podłoża
  • Stopy półprzewodników III-V z azotem

Uczestnictwo w grantach

  • Wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
  • Materiały półprzewodnikowe niedopasowane sieciowo do podłoża
  • Stopy półprzewodników III-V z azotem

Współpraca krajowa i zagraniczna

  • AMMONO Ltd. - Warszawa
  • Instytutem Badań Wysokociśnieniowych UNIPRESS - Warszawa
  • Instytut Fizyki PWr - Wrocław

Dydaktyka

  • Informatyka
  • Podstawy Techniki Cyfrowej i Mikroprocesorowej
  • Metody diagnostyki strukturalnej
  • Technologie informacyjne
  • Unix

Ważniejsze publikacje

  • J. Serafińczuk, J. Pietrucha, G. Schroeder, T.P. Gotszalk, „Thin film thickness determination using X-ray reflectivity and Savitzky-Golay algorithm”, Optica Applicata, vol. 41, nr 2 (2011)
  • R. Kucharski, M. Zajac, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kudrawiec, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, R. Dwilinski, „Structural and optical properties of semipolar gan substrates obtained by ammonothermal method”, Applied Physics Express, vol. 3 (2010) 101001
  • H. Ashraf, R. Kudrawiec, J.L. Weyher, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, P.R. Hageman, „Properties and preparation of high-quality, free-standing GaN substrates and study of spontaneous separation mechanism, Journal of Crystal Growth, vol. 312, (2010) 2398–2403
  • A. Podhorodecki, M. Bański, J. Misiewicz, J. Serafińczuk, N. V. Gaponenko, „Influence of the annealing temperature on excitation of terbium luminescence in yttrium-aluminum oxide films deposited onto porous anodic alumina”, Journal of Electrochemical Society, vol. 157, nr 6 (2010) H628-H632
  • R. Kucharski, M. Rudziński, M. Zając, R. Doradziński, J. Garczyński, L. Sierzputowski, R. Kudrawiec, J. Serafińczuk, W. Strupiński, R. Dwiliński, „Nonpolar GaN substrates grown by ammonothermal metod”, Applied Physics Letters, vol. 95 (2009) 131119
  • R. Kudrawiec, M. Rudziński, J. Serafinczuk, M. Zając, J. Misiewicz, „Photoreflectance study of exciton energies and linewidths for homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers”, Journal of Applied Physics, vol. 105 (2009) 093541
  • R. Kudrawiec, P. Podemski, M. Motyka, J. Misiewicz, J. Serafińczuk, A. Somers, J.P. Reithmaier, A. Forchel, „Electromodulation spectroscopy of In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.23Al0.24As quantum wells”, Superlattices and Microstructures, vol. 46 (2009) ss. 425-434
  • R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafińczuk, J. Misiewicz, D. Muto, and Y. Nanishi, „Photoreflectance of InN and InN:Mg layers: An evidence of Fermi level shift toward the valence band upon Mg doping in InN”, Applied Physics Letters, vol. 93, nr 13, (2008)
  • J. Serafińczuk, J. Kozłowski, „Determination of Indium and Nitrogen content in four-compounds epitaxial layers InxGa1-xAs1-yNy deposited on GaAs substrate”, Material Science-Poland vol. 26, nr 1, (2008) 
  • J. Kozłowski, J. Serafińczuk, „Structure modelling and reciprocal space maps simulation of the (Ga,Al)N epitaxial layers deposited on the sapphire substrate”, Journal of Alloys & Compounds, vol. 401, nr 1-2, (2005) 
  • Q. S. Paduano, A. J. Drehman, D. W. Weyburne, J. Kozlowski, J. Serafinczuk, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, „X-ray characterization of high quality AlN epitaxial layers: effect of growth condition on layer structural properties”, Physica Status Solidi C, vol. 0, nr 7, (2003)